物理气相传输法(HTPVT)是制备单晶碳化硅的常用方法，在材料学院碳化硅单晶材料研究的基础上，戴培赟在研究工作中进行了不同原料密度和烧结工艺的对比试验，建立了碳化硅多晶陶瓷的生长模型，并从热力学和动力学角度解释了碳化硅多晶生长的原理。此方法完全不同于现有的碳化硅陶瓷的制备工艺，获得的材料具有优异的性能，在军工、电子、机械等行业具有良好的应用前景，此技术已申请国家发明专利。
目前，戴培赟作为第一作者完成的《Fabrication of highly dense pure SiC ceramics via the HTPVT method》论文已被材料科学领域的国际权威杂志《Acta Materialia》接收，并准备发表。
该研究受到国家基金委项目、教育部博士点基金项目支持。
