制造压电陶瓷的方法
申请号/专利号： 00126229
一种主要包括ＣａＢｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］或其它具有层状钙钛矿晶体结构，在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中，其中分散有粉末氧化锆，以防止咬住，样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点（如１２４５℃）的温度１２６５℃，使其熔融或半熔融。之后退火和固化，制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷，可提高压电陶瓷的机电系数。
| 申请日： | 2000年08月16日 |
| 公开日： | 2001年03月21日 |
| 授权公告日： | 2004年05月12日 |
| 申请人/专利权人： | 株式会社村田制作所 |
| 申请人地址： | 日本京都府 |
| 发明设计人： | 木村雅彦;安藤阳 |
| 专利代理机构： | 上海专利商标事务所 |
| 代理人： | 顾敏 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 分类号： | C04B35/465;C04B35/495;C04B35/653;H01L41/24 |
