主要特点
●高温抗氧化:温度高达1600℃时抗氧化性能仍然非常好。
●纯度高:高温氯化条件下化学气相沉积方法制得的。
●耐冲刷:硬度高、表面致密、颗粒细。
●抗腐蚀:耐酸碱盐及有机试剂。
产品应用
单晶硅外延生长用的石墨基座涂层,平板基座、圆形基座、立体基座的涂层,导流筒等。
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碳化硅SIC
详细信息 主要特点
●高温抗氧化:温度高达1600℃时抗氧化性能仍然非常好。
●纯度高:高温氯化条件下化学气相沉积方法制得的。
●耐冲刷:硬度高、表面致密、颗粒细。
●抗腐蚀:耐酸碱盐及有机试剂。
产品应用
单晶硅外延生长用的石墨基座涂层,平板基座、圆形基座、立体基座的涂层,导流筒等。 |